Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (3) | Автореферати дисертацій (1) | Реферативна база даних (16) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Петровська Г$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 3 Представлено документи з 1 до 3 |
|||
| 1. | 
Демкович I. Математичне моделювання фототеплових процесів для неруйнівної діагностики матеріалів [Електронний ресурс] / I. Демкович, Г. Петровська, Я. Бобицький // Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології. - 2008. - Вип. 7. - С. 58-68. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Fmmit_2008_7_8 Розроблено неруйнівний високочутливий метод визначення оптичних і теплофізичних характеристик матеріалів, який базується на реєстрації фотостимульованих змін у досліджуваних зразках під дією потужного лазерного випромінювання. Для реалізації методу побудовано математичну модель, яка дозволяє числовими методами досліджувати взаємозв'язані температурні поля та відповідні їм деформації, які виникають під дією лазерного випромінювання з довільними його просторово-часовими розподілами, за урахування поверхневого й об'ємного поглинання в матеріалі, а також особливостей тепловідведення від зразка. Принцип визначення невідомого параметра полягає у тому, що експериментально реєструється теплове поле (чи поле деформації) на поверхні опромінюваного зразка, а далі змодельоване поле температур за допомогою математичних методів оптимізації наближають до експериментально зареєстрованого. Для реєстрації теплових полів і поверхневих деформацій запропоновано оптичні схеми, які базуються на методах лазерної та спекл-інтерферометрії. | ||
| 2. | 
Петровська Г. А. Дослідження оптичних волокон методом цифрової голографічної інтерферометрії [Електронний ресурс] / Г. А. Петровська, В. І. Варищук, В. М. Фітьо // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Радіоелектроніка та телекомунікації. - 2014. - № 796. - С. 249-253. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPPT_2014_796_35 Запропоновано метод цифрової голографічної інтерферометрії для дослідження фазових мікрооб'єктів. Створено макет голографічного інтерференційного мікроскопа з цифровою реєстрацією голограм. Розроблено методику дослідження оптичних волокон (ОВ), надано експериментальні результати визначення розподілу показника заломлення у поперечному перерізі ОВ. | ||
| 3. |
Петровська Г. А. Функціонально інтегровані графен-сенсори на основі поєднання магнітних та теплових методів [Електронний ресурс] / Г. А. Петровська, І. Я. Яремчук, С. З. Малинич, Я. В. Бобицький // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Радіоелектроніка та телекомунікації. - 2019. - № 914. - С. 17-22. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPPT_2019_914_5 Надано оптимізовану технологію виготовлення методом фотостимульованого травлення напівпровідників поверхневої дифракційної решітки. Це надає змогу отримати решітки з контрольованим періодом і глибиною поверхневої модуляції. Проведено математичне моделювання синусоїдальних рельєфних решіток на поверхні GaAs. Крім того, оптимізовано їх параметри. Обрано оптимальні періоди решіток. Отримано залежності ефективності дифракції від поверхні модуляції рельєфу для різних довжин хвиль. Встановлено, що максимальна ефективність решітки спостерігається за відношення глибини поверхні рельєфу до періоду, який приблизно дорівнює 1:10. Для запису рельєфних решіток використано лазер Nd:YAG на другій гармоніці (532 нм) із максимальною потужністю 100 мВт. Для вивчення рельєфу решіток використано атомно-силовий мікроскоп. Показано, що легування GaAs телуром призводить до сильного розвитку морфології поверхні та більшої глибини модуляції поверхні напівпровідника. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |